什么是蓝宝石上硅传感器(SOS)技术?

2013年5月22日,

分享:

我们通过一系列高标准的产品将SOS技术整合到我们的产品组合中,但它是什么,我们为什么使用它?爱游戏ayx亚洲

的结合蓝宝石和硅提供一个非常耐用的传感器。因为硅生长在蓝宝石的表面,所以它非常稳定,几乎没有滞后。由于其出色的绝缘性能,蓝宝石保护应变计免受电磁脉冲辐射,并允许传感器在非常宽的温度范围内工作而不损失性能。它能承受高过压和提供卓越的抗腐蚀能力。蓝宝石优异的弹性确保了高重复性,这是传感器非常理想的特性。

蓝宝石上硅技术部分

蓝宝石上硅晶片是在非常高的温度下将硅沉积在蓝宝石衬底上形成的。

天然的蓝宝石往往含有杂质,所以非常纯净的蓝宝石晶体是在受控的实验室环境中生长的。形成蓝宝石锭是削减60º角。这就是所谓的r平面。这个平面显示了晶体中的氧原子,由于这些原子的间距几乎与硅晶体的间距相同,硅可以干净地沉积在蓝宝石晶片的表面上。

掺杂硅应变片是从硅层上蚀刻出来的,蓝宝石衬底出色的绝缘特性使单个应变片彼此电隔离。在高温下工作的能力,化学惰性,和几乎没有滞后,使应变计的理想应用于压力传感器。利用蓝宝石上硅的传感技术可以获得<0.2%的良好长期稳定性,也比非sos键合的硅传感器有很大的优势。在制造过程中形成的硅惠斯通电桥不存在任何可能增加迟滞和不可重复性误差的残余应力,从而降低长期稳定性。感应元件和蓝宝石衬底之间不存在可能老化和引起不稳定性的粘结剂。

一些关于蓝宝石上硅的历史

1963年在北美航空公司(现在的波音公司)进行的一项非常实用的实验导致了SOS的发现。一块蓝宝石晶体被打磨成球形,然后浸入一种含有硅的气体中。一个球面会暴露出晶体系统中存在的所有平面。发现硅生长在球体上的某些位置,这些位置被确定为对应于蓝宝石的R平面。

在1960年中期?美国的研究人员致力于使sos成为一种可制造的技术。它的主要应用是用于辐射硬电路,但很快人们就发现,sos的其他好处也可以用于商业用途。

更进一步的突破是在1978年由加州理工学院和惠普公司共同开发的超薄S.O.S薄膜。一种叫做SPER(固相外延再生长)的工艺被开发出来,直到1990年S.O.S第一次商业化的阶段。蓝宝石上硅是目前最有前途的压力传感技术之一,在大容量应用中得到了更广泛的接受。

分享:
爱游戏ayx官网