技术解释

压力测量是许多行业许多应用的重要组成部分。过程可以在压力范围，温度和测量介质中变化。对于所有应用没有理想的压力传感器技术，因此为您的应用程序提供正确的传感器选择对于获得压力变送器或传感器的最佳性能至关重要。

压力传感器或压力传感器元件是测量元件，其将物理量的压力转换为与压力成比例的电量。使用不同的物理效果和不同的传感器材料，例如硅，陶瓷或金属。每种技术都可能具有特定的优缺点。最适合应用的压力传感器设计由应用的要求决定，例如，与介质接触的材料及其对某些介质的适用性具有基本的重要性。

ESI使用一系列传感器技术;

Silicon-On-Sapphire（SOS）压力传感器

通过在非常高的温度下将硅沉积到蓝宝石衬底上而形成硅式 - 蓝宝石晶片。

纯粹的蓝宝石晶体在受控的实验室环境中生长。将形成的蓝宝石锭切割成60º角，称为R平面。该平面揭示了晶体中的氧原子，因为这些原子的间隔几乎与硅晶体中的间隔几乎相同，所以硅可以干净地沉积在蓝宝石晶片的表面上。从硅层蚀刻掺杂的硅应变计，并且通过蓝宝石衬底的未突出的绝缘特性彼此电隔离而彼此电隔离。在高温下操作的能力，化学惰性和虚拟缺失的滞后使应变仪理想地用于压力传感器。

主要特征

• 使用加工的钛件构造
• 高压HP系列从A加工单片钛
• 钛压隔膜焊接到钛螺纹压力端口，因此没有O形圈密封件
• 高抗压力（防压力）和压力瞬变
• 优异的耐化学性
• 升高的温度稳定
• 高灵敏度10mV / v至20mV / v
• 从0,5bar到4000bar的压力

粘合的箔压力传感器

粘合的箔传感器基于与应变仪相同的原理。由恒定聚酰亚胺背衬的恒定制成的四个箔仪，以惠斯通桥电路的形式粘合到不锈钢隔膜。隔膜响应于施加的压力而弯曲和菌株，并导致应变仪中的电阻变化产生2mV / v的灵敏度。

主要特征

• 该传感器采用两种加工的不锈钢​​构造。一件是使用300系列不锈钢加工的压力端口（螺纹部分）
• 另一件从已知为17 / 4PH的特殊等级的不锈钢加工。这具有出色的“春天的”属性，并成为许多制造商的首选材料。
• 两件是焊接在一起的电子束，应变仪粘合到隔膜的表面。
• 这种结构没有O形圈密封和具有良好的过压和压力瞬变抵抗力
• 输出灵敏度2mV / v
• 从25bar到1000bar的压力（仅限仪表参考）

厚膜传感器

如粘合箔应变仪传感器，厚膜传感器使用四个电阻组成惠斯通桥。电阻结构是印刷到陶瓷膜隔膜上的筛网，然后气密地连接到主陶瓷体以制造鲁棒结构。这里的电阻变化是由于膜的变形，由由材料的拉伸和压缩引起的几何变化导致。从膜的连接通过体内到表面上的焊点。

主要特征

• 陶瓷传感器元件和316L不锈钢壳体之间的压力密封用腈*制造O形圈密封
• 使用锁定环固定传感器，该锁定环将足够的力施加到O形圈上以实现密封件
• 与SOS和粘合的箔菌应变仪表传感器不同，证明压力和突发压力等级是相同的。陶瓷不“收益”，如金属隔膜，并且一旦超过校验压力都有很高的破裂风险（爆裂）
• 输出灵敏度类似于粘合的箔应变仪，即通常为2.2mV / v
• 从1bar到400bar（仪表或绝对）的压力。

孤立的硅传感器

隔离的硅传感器利用半导体（硅）测量隔膜，选择性地扩散结构。它们使用压阻效应，这是基于由拉伸和压缩引起的半导体材料中的电阻的变化，这影响了在机械应力下的电子的迁移率。硅传感器装配到玻璃馈送到玻璃馈送器上，并安装在316L不锈钢壳体中。然后从薄的316L不锈钢膜后面的外部介质隔离，其焊接到主壳体。壳体填充有硅油并密封。压力作用在膜上，通过油转移到传感器上。

主要特征

• 需要O形圈密封
• 所有316L不锈钢结构
• 传感器安装在316L不锈钢压力端口中，并使用丁腈圈密封
• 良好的过度抵抗力
• 从50杆向上的低压低的性能。
• 最大压力限制为600bar
• 高灵敏度为10mV / v

硅传感器

带有保护膜的压阻性硅感测元件。传感器封装在塑料外壳中，用于直接安装到印刷电路板上。

主要特征

• 仅适用于空气和非腐蚀性气体
• 用于低压空气差压测量
• 产品PR3202
• 10mV / V典型的敏感性
• 低压范围从5mbar到1000毫巴

ESI提供技术支持，协助客户选择哪种压力传感器最符合其需求。联系销售团队sales@esi-tec.com.